MT53E1G32D2FW-046 vs MT53E512M32D2FW-046 AAT:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E1G32D2FW-046 par Micron Technology et MT53E512M32D2FW-046 AAT:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron
MT53E1G32D2FW-046 ✓ ActifMicron Technology
MT53E512M32D2FW-046 - 16Gb LPDDR4 SDRAM 2133MHz | Micron
MT53E512M32D2FW-046 AAT:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E1G32D2FW-046 | MT53E512M32D2FW-046 AAT:D |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $295,93 | $13,75 |
| Type de mémoire | Mobile LPDDR4X SDRAM | SDRAM - Mobile LPDDR4/LPDDR4X |
| Taille de mémoire | 32 Gbit (4 GB) | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels) | 512M x 32 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 2133 MHz (2.133 GHz) | 2133 MHz (2.133 GHz) |
| Débit de données | 4266 Mb/s per pin | — |
| Access Time | 3.5 ns | — |
| Write Cycle Time | 18 ns | — |
| VDDQ I/O Voltage | 0.6 V | — |
| Boîtier | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| Ball Diameter | 0.40 mm (SMD balls) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (AUT variant) | -40C to +125C | — |
| Die Revisions | :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB) | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL Rating | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Cycle Time | — | 3.5 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.1 V |
| Supply Voltage VDDQ (LPDDR4) | — | 1.1 V |
| Supply Voltage VDDQ (LPDDR4X) | — | 0.6 V |
| Core Voltage VDD2 | — | 1.8 V |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +105C (AAT:D grade) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (AUT:D variant verified; AAT:D automotive grade per Micron catalog) |
| Memory Configuration Speed Grade | — | -046 (2133) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |